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IBAD – Ion Beam Assisted Depositon

 

Esse equipamento possui uma porta-alvo rotatória para alojar até quatro tipos diferentes de materiais, permitindo a deposição de filmes multicamadas por sputtering. O processo de deposição é assistido por dois feixes iônicos (produzidos pelos dois canhões de tipo Kaufman). Um terceiro canhão tipo ECR (Electron Ciclotron Resonance) fica na parte posterior do equipamento e não é visível no desenho. O substrato é posicionado mediante uma estação de precisão x-y-z e a temperatura controlada. O sistema está munido de manipuladores para a transferência de amostras. O DIBAD comunica-se a um sistema de ultra-alto vácuo (UHV) para a análise in situ das amostras, feita pela técnica de espectroscopia de elétrons fotoemitidos (UPS e XPS).

Esquema geral do sistema DIBAD

Esquema geral do equipamento As duas fontes de íons são canhões do tipo Kaufman

Vista geral do sistema real

Vista geral do sistema real